Der Entwurf von HF-/Mikrowellen-Oszillatoren war und ist Gegenstand zahlreicher Veröffentlichungen.
In der Vergangenheit wurden Oszillatoren weitgehend auf der Grundlage früherer Erfahrungen mit experimentellen Daten entworfen. Hochauflösende Prüfgeräte zur Validierung waren damals nicht verfügbar.
Für einen Konstrukteur ist es jedoch besser, von einer Reihe von Spezifikationen auszugehen und dann ein strenges und fortschrittliches, auf Mathematik basierendes Konstruktionsverfahren anzuwenden.
Die LC-basierten Oszillatoren wie Bipolar-, MESFET- und CMOS-Transistoren und das daraus resultierende Design von Hochleistungsoszillatoren mit geringem Phasenrauschen, von VHF-Kristallresonatoren bis hin zu YIG-Oszillatoren und deren Messdaten werden ebenfalls diskutiert.
Im Vortrag zeigen wir eine auf linearen Daten, gemessenen Großsignalen und nichtlinearen Bessel-Funktionen basierende Behandlung von HF/Mikrowellen-Oszillatoren.
